Pristupačnost
U listopadu 2018. je u Physical Review Applied objavljen zajednički rad suradnika Fizičkog odsjeka (M. Kuveždić, E. Tafra, M. Basletić i A. Hamzić) s istraživačima iz Kine (Beihang University, Peking), Njemačke (Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden), Švicarske (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) i nobelovcem A. Fertom (Unité Mixte de Physique CNRS, Thales, Université Paris-Sud, Francuska) o magnetotransportnim i termoelektičnim svojstvima epitaksijalnih tankih filmova Heuslerovih legura Co2TiSn i Co2Ti0.6V0.4Sn.
Physical Review Applied (PRApplied; IF = 4.78) je specijalizirani časopis koji izdaje APS i objavljuje radove koji povezuju fiziku i primjene.
Feromagnetske Heuslerove legure Co2XY (X = Ti, V, Mn, Fe; Y = Al, Si, Ge, Sn) imaju značajni potencijal za spintroničke primjene zbog velikog iznosa njihove spinske polarizacije. Jednako tako, za Co2TiSn teorijska istraživanja predvidjela su da je glavni doprinos intrinsičnom anomalnom Hallovom efektu rezultat pojave Berryeve zakrivljenosti.
Istraživani su spinski ovisna transportna (otpor, magnetootpor, anomalni Hall efekt) i termoelektrična svojstava (Seebeckov efekt, anomalni Nernstov efekt) epitaksijalnih tankih filmova Co2TiSn (CTS) i Co2Ti0.6V0.4Sn (CTVS). Anomalna Hallova vodljivost za CTS manja je od drugih rezultata, ali još uvijek u skladu s teorijski izračunatom vrijednošću. Za CTVS anomalna Hallova vodljivost je znatno niža. Za oba sustava dominantni doprinos anomalnom Hallovom efektu dolazi od intrinsičnog side-jump efekta.
Magnetoopor za oba sustava je malog iznosa (<1%), a njegova ovisnost o magnetskom polju je tipična za feromagnetske sustave. Anizotropije magnetootpora su male i temperaturno neovisne.
Također su određeni i diskutirani anomalni Nernstov i Hallov kut. Anomalni Nernstov kut (omjer anomalnog Nenstovog efekta (ANE) te Seebeckovog koeficijenta S) je 15% za CTVS, te samo 0.5% za CTS. Koristeći Mottovu relaciju, eksperimentalni rezultati mogu se opisati s većim iznosom derivacije anomalne Hallove vodljivosti po energiji na Fermijevom nivou (ds/dE (EF)) zbog pomaka EF uzrokovanog dopiranjem s vanadijem.
Veliko povećanje anomalnog Nernstovog kuta može značajno poboljšati karakteristike termoelektričnih uređaja zasnovanih na anomalnom Nernstovom efektu i zbog toga je naš rezultat značajan korak prema realizaciji kvalitetnijih spin-kaloritroničkih uređaja. U odnosu na konvencionalne postave zasnovane na Seebeckovom efektu, ANE karakterizira činjenica da je detekcija napona okomita na temperaturni gradijent, a akumulaciju ANE napona moguće je postići jednostavno povećanjem udaljenosti između naponskih kontakata. Takva jedna termoelektrična baterija (sastavljena od niza parova Heuslerove legure i bakra) može na čipu površine 1 cm2 sadržavati i do 104 parova, a u slabom magnetskom polju i s temperaturnom razlikom od samo 0.1 mK na debljini od 10 nm, izlazni napon može doseći i do 1.8 V.
